Vishay Siliconix SIA811ADJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

حصے کا نمبر

SIA811ADJ-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

LITTLE FOOT®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-70-6 Dual

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-70-6 Dual

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.8W (Ta), 6.5W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

Schottky Diode (Isolated)

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

116 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

13nC @ 8V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

345pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 11364 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6