Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

حصے کا نمبر

SIA810DJ-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

LITTLE FOOT®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-70-6 Dual

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-70-6 Dual

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Schottky Diode (Isolated)

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

53 mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11.5nC @ 8V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

400pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 17311 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6