Triode/MOS tube/transistor/module
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
مینوفیکچررز
N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 150A, RDON on-resistance 2.4mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
تفصیل
N-channel, 25V, 60A, 9mΩ@10V
تفصیل
onsemi (Ansemi)
مینوفیکچررز
N-Channel, PowerTrench MOSFET, 60V, 80 A, 3.8 mΩ
تفصیل
onsemi (Ansemi)
مینوفیکچررز
LRC (Leshan Radio)
مینوفیکچررز
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
تفصیل
DIODES (US and Taiwan)
مینوفیکچررز
onsemi (Ansemi)
مینوفیکچررز
VBsemi (Wei Bi)
مینوفیکچررز
LRC (Leshan Radio)
مینوفیکچررز
onsemi (Ansemi)
مینوفیکچررز
PUOLOP (Dipu)
مینوفیکچررز
APM (Jonway Microelectronics)
مینوفیکچررز
VBsemi (Wei Bi)
مینوفیکچررز
TWGMC (Taiwan Dijia)
مینوفیکچررز
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 120@50mA,1V
تفصیل
Potens (Bosheng Semiconductor)
مینوفیکچررز
P-channel, -30V, -7A
تفصیل
Wuxi Unisplendour
مینوفیکچررز
ST (STMicroelectronics)
مینوفیکچررز
onsemi (Ansemi)
مینوفیکچررز