Triode/MOS tube/transistor/module
VISHAY (Vishay)
مینوفیکچررز
VBsemi (Wei Bi)
مینوفیکچررز
YANGJIE (Yang Jie)
مینوفیکچررز
Hottech (Heketai)
مینوفیکچررز
PNP, Vceo=-50V, Ic=-2A
تفصیل
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous drain current (Id): 2.9A Power (Pd): 1W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 45mΩ@10V, 2.9A working Temperature: +150℃@(Tj)
تفصیل
VBsemi (Wei Bi)
مینوفیکچررز
YANGJIE (Yang Jie)
مینوفیکچررز
TECH PUBLIC (Taizhou)
مینوفیکچررز
onsemi (Ansemi)
مینوفیکچررز
TMC (Taiwan Mao)
مینوفیکچررز
Type N VDS(V) 60V VGS(V) ±20V Vth(V) 1.6V RDS(ON)(mΩ) 30mΩ ID(A) 30A
تفصیل
N-channel, 800V, 7A, 1.6Ω
تفصیل
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
مینوفیکچررز
PNP, Vceo=-80V, Ic=-0.4A, hfe=120~240
تفصیل
VISHAY (Vishay)
مینوفیکچررز
N-channel, 30V, 20A, 0.016Ω@4.5V
تفصیل
APM (Jonway Microelectronics)
مینوفیکچررز
LRC (Leshan Radio)
مینوفیکچررز
MSKSEMI (Mesenco)
مینوفیکچررز
Triode Transistor Type: PNP Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V Collector Current (Ic): 1.5A Power (Pd): 500mW DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@100mA, 1V 200-350 PNP
تفصیل