Vishay Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3 MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

حصے کا نمبر

SQJ912BEP-T1_GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8 Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

48W (Tc)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8 Dual

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

40V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

30A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

11 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

60nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3000pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 18261 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8