Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

حصے کا نمبر

SQJ262EP-T1_GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8 Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

27W (Tc), 48W (Tc)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

15A (Tc), 40A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

10nC @ 10V, 23nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

550pF @ 25V, 1260pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 49664 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO