Vishay Siliconix SQJ204EP-T1_GE3 MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

حصے کا نمبر

SQJ204EP-T1_GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8 Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

27W (Tc), 48W (Tc)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

FET قسم

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 10V, 50nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53218 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO