Vishay Siliconix SQD10N30-330H_GE3 MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

حصے کا نمبر

SQD10N30-330H_GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-252AA

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

107W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

300V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

330 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

47nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2190pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42425 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA