Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 MOSFET DUEL N-CHAN 30V

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET DUEL N-CHAN 30V

حصے کا نمبر

SIZF906ADT-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET® Gen IV

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerWDFN

پاور - زیادہ سے زیادہ

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-PowerPair® (6x5)

FET قسم

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 8138 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3