Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

حصے کا نمبر

SIR770DP-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8 Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

17.8W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8 Dual

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.8V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

21nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

900pF @ 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 24065 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8