Vishay Siliconix SI6410DQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI6410DQ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP

حصے کا نمبر

SI6410DQ-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-TSSOP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.5W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

14 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA (Min)

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

33nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 28576 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI6404DQ-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP