Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8BT-E3/45 DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

UGB8BT-E3/45

DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

حصے کا نمبر

UGB8BT-E3/45

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-263AB

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1V @ 8A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 100V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

100V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

30ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36678 PCS

رابطے کی معلومات