Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

چین
پیشہ ورانہ الیکٹرانک اجزاء فراہم کنندہ

کیٹلاگ مینوفیکچررز CN ICs

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TRS8E65C,S1Q

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

حصے کا نمبر

TRS8E65C,S1Q

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-2

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220-2L

ڈایڈڈ کی قسم

Silicon Carbide Schottky

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

8A (DC)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.7V @ 8A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

90µA @ 650V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

650V

رفتار

No Recovery Time > 500mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

0ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

175°C (Max)

Capacitance @ Vr، F

44pF @ 650V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 37462 PCS

رابطے کی معلومات