Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL,LQ MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

TPN6R003NL,LQ

MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

حصے کا نمبر

TPN6R003NL,LQ

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

U-MOSVIII-H

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-TSON Advance (3.3x3.3)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

700mW (Ta), 32W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

27A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.3V @ 200µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

17nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1400pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 29674 PCS

رابطے کی معلومات