Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL,LQ MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

TPN11006NL,LQ

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

حصے کا نمبر

TPN11006NL,LQ

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

U-MOSVIII-H

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-TSON Advance (3.3x3.3)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

700mW (Ta), 30W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

17A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

11.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 200µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

23nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2000pF @ 30V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20461 PCS

رابطے کی معلومات