Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH,L1Q MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TPH6400ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

حصے کا نمبر

TPH6400ENH,L1Q

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

U-MOSVIII-H

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SOP Advance (5x5)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.6W (Ta), 57W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

13A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

64 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 300µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11.2nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1100pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36076 PCS

رابطے کی معلومات