Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q) MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

چین
پیشہ ورانہ الیکٹرانک اجزاء فراہم کنندہ

کیٹلاگ مینوفیکچررز CN ICs

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TK60D08J1(Q)

MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

حصے کا نمبر

TK60D08J1(Q)

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220(W)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

140W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

75V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

60A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

7.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.3V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

86nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

5450pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53952 PCS

رابطے کی معلومات