Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU(TE85L,F) MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SSM5H12TU(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

حصے کا نمبر

SSM5H12TU(TE85L,F)

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

U-MOSIII

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

سپلائر ڈیوائس پیکیج

UFV

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

500mW (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Schottky Diode (Isolated)

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.9A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

133 mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1.9nC @ 4V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

123pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 48290 PCS

رابطے کی معلومات