Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B V6G DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

ESH3B V6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

حصے کا نمبر

ESH3B V6G

مینوفیکچرر/برانڈ

Taiwan Semiconductor Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DO-214AB, SMC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DO-214AB (SMC)

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

5µA @ 100V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

100V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

20ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

45pF @ 4V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 38153 PCS

رابطے کی معلومات