IXYS MMIX1F360N15T2 MOSFET N-CH 150V 235A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

MMIX1F360N15T2

MOSFET N-CH 150V 235A

حصے کا نمبر

MMIX1F360N15T2

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

GigaMOS™, TrenchT2™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

24-PowerSMD, 21 Leads

سپلائر ڈیوائس پیکیج

24-SMPD

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

680W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

150V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

235A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

4.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 8mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

715nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

47500pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 52610 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

MMIX1F132N50P3

MOSFET N-CH 500V 63A SMPD