Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPC26N12NX1SA1

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

حصے کا نمبر

IPC26N12NX1SA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

Die

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Sawn on foil

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

120V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1A (Tj)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 244µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 49070 PCS

رابطے کی معلومات