Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1 MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPAN65R650CEXKSA1

MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

حصے کا نمبر

IPAN65R650CEXKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3 Full Pack

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO220 Full Pack

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

28W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Super Junction

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10.1A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 210µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

23nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

440pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ chen_hx1688@hotmail.com، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 38821 PCS

رابطے کی معلومات