Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

BSC100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

حصے کا نمبر

BSC100N06LS3GATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerTDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TDSON-8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12A (Ta), 50A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

10 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.2V @ 23µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

45nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3500pF @ 30V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 37293 PCS

رابطے کی معلومات