Comchip Technology CDBGBSC20650-G DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

چین
پیشہ ورانہ الیکٹرانک اجزاء فراہم کنندہ

کیٹلاگ مینوفیکچررز CN ICs

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

CDBGBSC20650-G

DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

حصے کا نمبر

CDBGBSC20650-G

مینوفیکچرر/برانڈ

Comchip Technology

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-247

ڈایڈڈ کی قسم

Silicon Carbide Schottky

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.7V @ 10A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

100µA @ 650V

ڈایڈڈ کنفیگریشن

1 Pair Common Cathode

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

650V

موجودہ - اوسط درست شدہ (Io) (فی ڈائوڈ)

33A (DC)

رفتار

No Recovery Time > 500mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

0ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 175°C

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 22036 PCS

رابطے کی معلومات