Vishay Siliconix SQJB80EP-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SQJB80EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

حصے کا نمبر

SQJB80EP-T1_GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8 Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

48W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8 Dual

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

80V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

30A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

19 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

32nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1400pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 33959 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SQJB00EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8