Vishay Siliconix SQJ488EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SQJ488EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

حصے کا نمبر

SQJ488EP-T1_GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

83W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

42A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

21 mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

27nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

979pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 14862 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SQJ401EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8