تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
حصے کا نمبر
SIS413DN-T1-GE3
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
TrenchFET®
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Digi-Reel®
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
PowerPAK® 1212-8
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PowerPAK® 1212-8
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET قسم
P-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
30V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
9.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
2.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
110nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4280pF @ 15V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
4.5V, 10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 39922 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ SIS413DN-T1-GE3
SIS413DN-T1-GE3 الیکٹرانک اجزاء
SIS413DN-T1-GE3 سیلز
SIS413DN-T1-GE3 فراہم کنندہ
SIS413DN-T1-GE3 فراہم کنندہ
SIS413DN-T1-GE3 ڈیٹا ٹیبل
SIS413DN-T1-GE3 تصاویر
SIS413DN-T1-GE3 قیمت
SIS413DN-T1-GE3 پیشکش
SIS413DN-T1-GE3 کم ترین قیمت
SIS413DN-T1-GE3 تلاش کریں۔
SIS413DN-T1-GE3 خریداری
SIS413DN-T1-GE3 Chip