Vishay Siliconix SIHG25N60EFL-GE3 MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIHG25N60EFL-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

حصے کا نمبر

SIHG25N60EFL-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-247AC

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

250W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

25A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

146 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

75nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2274pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ chen_hx1688@hotmail.com، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 34805 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIHG039N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO247AC