Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SIB914DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

حصے کا نمبر

SIB914DK-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Digi-Reel®

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-75-6L Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

3.1W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-75-6L Dual

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.5A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

113 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

800mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

2.6nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

125pF @ 4V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53550 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIB900EDK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6