Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SIA950DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6

حصے کا نمبر

SIA950DJ-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

LITTLE FOOT®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Digi-Reel®

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-70-6 Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

190V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

950mA

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

4.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

90pF @ 100V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 45353 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6