Vishay Siliconix SIA449DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIA449DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

حصے کا نمبر

SIA449DJ-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-70-6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-70-6 Single

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

20 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

72nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2140pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 24463 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70