Vishay Siliconix SIA444DJT-T4-GE3 MOSFET N-CH 30V SMD

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIA444DJT-T4-GE3

MOSFET N-CH 30V SMD

حصے کا نمبر

SIA444DJT-T4-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Last Time Buy

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-70-6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-70-6 Single

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

FET قسم

N-Channel

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

11A (Ta), 12A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

17 mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

15nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

560pF @ 15V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 27420 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70