Vishay Siliconix SI8409DB-T1-E1 MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI8409DB-T1-E1

MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

حصے کا نمبر

SI8409DB-T1-E1

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

4-XFBGA, CSPBGA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

4-Microfoot

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.47W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4.6A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

46 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

26nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 44181 PCS

رابطے کی معلومات