Vishay Siliconix SI7430DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI7430DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

حصے کا نمبر

SI7430DP-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

5.2W (Ta), 64W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

150V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

26A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

45 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

43nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1735pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

8V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 7221 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI7402DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8