تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
SI4840BDY-T1-GE3

SI4840BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
حصے کا نمبر
SI4840BDY-T1-GE3
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
TrenchFET®
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Cut Tape (CT)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سپلائر ڈیوائس پیکیج
8-SO
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
40V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
9 mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
3V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
50nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2000pF @ 20V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
4.5V, 10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 6909 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ SI4840BDY-T1-GE3
SI4840BDY-T1-GE3 الیکٹرانک اجزاء
SI4840BDY-T1-GE3 سیلز
SI4840BDY-T1-GE3 فراہم کنندہ
SI4840BDY-T1-GE3 فراہم کنندہ
SI4840BDY-T1-GE3 ڈیٹا ٹیبل
SI4840BDY-T1-GE3 تصاویر
SI4840BDY-T1-GE3 قیمت
SI4840BDY-T1-GE3 پیشکش
SI4840BDY-T1-GE3 کم ترین قیمت
SI4840BDY-T1-GE3 تلاش کریں۔
SI4840BDY-T1-GE3 خریداری
SI4840BDY-T1-GE3 Chip