Vishay Siliconix SI4561DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI4561DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

حصے کا نمبر

SI4561DY-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Digi-Reel®

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

3W, 3.3W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SO

FET قسم

N and P-Channel

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

40V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6.8A, 7.2A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

35.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

640pF @ 20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20550 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC