Vishay Siliconix SI3495DV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI3495DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

حصے کا نمبر

SI3495DV-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-TSOP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.1W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

5.3A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

24 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

750mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

38nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±5V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 52887 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN