Vishay Siliconix SI3458DV-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI3458DV-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

حصے کا نمبر

SI3458DV-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-TSOP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

100 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA (Min)

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

16nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 54154 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN