Vishay Siliconix SI3434DV-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI3434DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

حصے کا نمبر

SI3434DV-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-TSOP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.14W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4.6A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

34 mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

600mV @ 1mA (Min)

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

12nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53043 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN