Vishay Siliconix SI1419DH-T1-E3 MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI1419DH-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6

حصے کا نمبر

SI1419DH-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SC-70-6 (SOT-363)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

300mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

5 Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6.2nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

6V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ chen_hx1688@hotmail.com، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 46745 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI1400DL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6