Vishay Siliconix SI1413EDH-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI1413EDH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

حصے کا نمبر

SI1413EDH-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SC-70-6 (SOT-363)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.3A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

115 mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

450mV @ 100µA (Min)

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

8nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ chen_hx1688@hotmail.com، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 49993 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI1400DL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6