Vishay Siliconix SI1065X-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI1065X-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

حصے کا نمبر

SI1065X-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-563, SOT-666

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SC-89-6

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

236mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

156 mOhm @ 1.18A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

950mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

10.8nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

480pF @ 6V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 44423 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN