Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI1026X-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

حصے کا نمبر

SI1026X-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-563, SOT-666

پاور - زیادہ سے زیادہ

250mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SC-89-6

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

305mA

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

30pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36041 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN