Vishay Siliconix SI1023X-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI1023X-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6

حصے کا نمبر

SI1023X-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-563, SOT-666

پاور - زیادہ سے زیادہ

250mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SC-89-6

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

370mA

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

450mV @ 250µA (Min)

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 17179 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN