IRFD9110PBF
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
حصے کا نمبر
IRFD9110PBF
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
-
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
4-DIP (0.300", 7.62mm)
سپلائر ڈیوائس پیکیج
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
1.3W (Ta)
FET قسم
P-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
700mA (Ta)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
1.2 Ohm @ 420mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
8.7nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
200pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 6352 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IRFD9110PBF
IRFD9110PBF الیکٹرانک اجزاء
IRFD9110PBF سیلز
IRFD9110PBF فراہم کنندہ
IRFD9110PBF فراہم کنندہ
IRFD9110PBF ڈیٹا ٹیبل
IRFD9110PBF تصاویر
IRFD9110PBF قیمت
IRFD9110PBF پیشکش
IRFD9110PBF کم ترین قیمت
IRFD9110PBF تلاش کریں۔
IRFD9110PBF خریداری
IRFD9110PBF Chip