IRFD113
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
حصے کا نمبر
IRFD113
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
-
حصہ کی حیثیت
Obsolete
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
4-DIP (0.300", 7.62mm)
سپلائر ڈیوائس پیکیج
4-HVMDIP
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
1W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
60V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
800mA (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
7nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
200pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 14711 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IRFD113
IRFD113 الیکٹرانک اجزاء
IRFD113 سیلز
IRFD113 فراہم کنندہ
IRFD113 فراہم کنندہ
IRFD113 ڈیٹا ٹیبل
IRFD113 تصاویر
IRFD113 قیمت
IRFD113 پیشکش
IRFD113 کم ترین قیمت
IRFD113 تلاش کریں۔
IRFD113 خریداری
IRFD113 Chip