Vishay Semiconductor Diodes Division US1BHE3/61T DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

US1BHE3/61T

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

حصے کا نمبر

US1BHE3/61T

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DO-214AC, SMA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DO-214AC (SMA)

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1V @ 1A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 100V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

100V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

50ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

15pF @ 4V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 8045 PCS

رابطے کی معلومات