Vishay Semiconductor Diodes Division BY229B-200HE3/45 DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BY229B-200HE3/45

DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

حصے کا نمبر

BY229B-200HE3/45

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-263AB

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.85V @ 20A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

200V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

145ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-40°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 27285 PCS

رابطے کی معلومات