Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TPCC8093,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

حصے کا نمبر

TPCC8093,L1Q

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

U-MOSVII

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-TSON Advance (3.3x3.3)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.9W (Ta), 30W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

21A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.2V @ 500µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

16nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1860pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 46165 PCS

رابطے کی معلومات