Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H,LQ(CM MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TPC8062-H,LQ(CM

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

حصے کا نمبر

TPC8062-H,LQ(CM

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

U-MOSVII-H

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SOP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

18A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

5.8 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.3V @ 300µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

34nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2900pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 18526 PCS

رابطے کی معلومات